VũLâm72city
Administrator
Tổng số bài gửi : 260
Join date : 26/05/2013
Age : 30
Đến từ : Đăk Lăk
 |  Tiêu đề: Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3  Mon Jun 24, 2013 5:57 pm | |
| Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3Chương 3:Công nghệ xử lý CMOS CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS 3.1 Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần, là chất có độ dẫn điện nằm giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Độ dẫn điện của bán dẫn có thể thay đổi bằng cách pha tạp chất vào Silic từ đó hình thành hai loại chất bán dẫn mới là n và p, tùy thuộc vào nồng độ pha mà ta có n+ và p+. Từ một lò nấu nỏng chảy Silic đa tinh thể kéo ra được thỏi Silic đơn tinh thể bằng cách dùng thạc anh làm mồi và kéo lên, phương pháp này gọi là phương pháo Czochralski. Ngày nay phương pháp phổ biến là sản xuất thẳng vật liệu đơn tinh thể bằng cách cho lượng tạp chất bổ sung vào Silic nóng chảy để cho đơn tinh thể với các chất dẫn điện theo yêu cầu. Hình 3.1 Phương pháp
Click tải về
|
|
